建築・土木

NAND フラッシュの階層と、ページ／ブロック

NAND フラッシュ（読み書きはページ、消去はブロック）

この図は、下の 1 枚の YAML から描かれています。手で図形を動かしてはいません。

正本に書いてある決まりごと

読み書きはページ単位、消去はブロック単位。

この食い違いから、SSD のほとんどの性質が出てくる ——上書きができない、ガベージコレクションが要る、ホストが頼んでいない書き込みが起きる（ライトアンプリフィケーション）。

1 バイト直すために、周りを読んで書き直すことになる。消去がブロック単位なので、ブロックの中の 1 ページだけを変えたくても、生きているページを別へ写してから、ブロックごと消す ——ホストが書いた量より、実際に書かれた量のほうが多くなる。

書き換えの回数に上限がある。 だから同じブロックばかり使わないように割り当てを散らす（ウェアレベリング）。SSD が「空き容量が減ると遅くなる」のも、写す先が減るため。